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中芯国际力争10年进入全球第一梯队国产14nm工艺

发布时间:2018-05-05 18:53

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  中芯国际力争10年进入全球第一梯队国产14nm工艺来岁量产工艺设备北京日报日前报道了中芯国际,提到了中芯国际在晶圆厂、半导体配备、制造工艺等方面的一些进展。以半导体系体例造配备为例,中国新建的晶圆厂绝大大都配备都是进口的,10块钱的配备有9.8元都进入了国产厂商的口袋。

  不外和谈签订时国内还没有28nm以下的先辈工艺,此后台积电颁布发表在南京扶植16nm工艺晶圆厂,2016年正式动工,本来估计本年下半年量产,不外工程进展很快,上半年就曾经正式量产了,所以中芯国际的14nm在国内市场也会遭遇台积电的强力合作,并且后者在量产时间、工艺成熟度上明显更有劣势。

  中芯国际CEO周子学此前在一次内部会议上暗示中芯国际将用10年时间争取进入世界第一梯队。

  对于国产14nm工艺,这是2015年比利时国王访华时中比两边签定的一系列合作之一,比利时有全球出名的IMEC比利时微电子核心,在先辈半导体工艺上具备丰硕的经验,其时中芯国际、华为以及高通结合IMCE签订了合作和谈,研发14nm FinFET制造工艺,预定方针是2020年之前量产,此刻来看进度仍是OK的。

  除了英特尔有些难产之外,台积电、必博国际三星早就量产了10nm工艺,目前正在抢夺7nm工艺制高点,再加上Globalfoundries,这四强代表了半导体系体例造工艺的巅峰。比来几露台积电在南京扶植的晶圆厂曾经起头出货,利用的是16nm工艺,这是国内手艺程度最高的工艺,不外能代表大陆自主手艺程度的仍是中芯国际、华虹半导体的28nm工艺。来自中芯国际的动静称,国产14nm工艺估计在2019年上半年量产,同时中芯国际力争用10年时间进入第一梯队。

  除了大师经常听到的光刻机之外,还有离子蚀刻机、离子注入机、光学抛光机、快速退火设备等等,在这方面中芯国际也积极支撑国产配备,过去七年中国产半导体配备的拥有率从1%提高到了15%。

  与此同时,中芯国际还在不竭缩小与国外先辈工艺的差距,按照原文的说法,中国集成电路先辈制造工艺曾经从之前掉队国际4到5代缩小到了1-2代的差距,中芯国际的14nm工艺估计会在2019年上半年量产。

  虽然如斯,在14nm量产之后,中国半导体工艺与世界先辈程度的差距确实大大缩小了,28nm、14nm以及将来的7nm都是高机能节点,会持久具有,所以只需能量产出来,对成长国产高机能芯片都是无益的。

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